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第六百二十五章 李觉:我可是技术型领导!

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测设备。」

「另外对撞机内部还有两台硅探测器,它们会将数据导入到一台多晶体管显像器上,通过分析很快就可以得出大量的数据了。」

「我们这台加速器对撞发生的时间间隔是25ns,也就是40MHz,不出意外大概可以产出大几千张图纸。」

听闻此言。

一旁的徐云也点了点头。

众所周知。

从步骤上划分,粒子对撞机大概可以分成三个部分:

生产粒子、加速粒子、分析粒子。

其中生产粒子的方法很多,主要分成电子源和离子源。

电子源就是加热、光电效应、场致发射或者次级发射——当初徐云在1850副本中使用的就是场致发射原理。

至于离子源就比较多了,啥负离子源、正电子源、反质子源、中子源等零零散散好多种。

加速粒子则主要靠的是磁场和电磁,难点一是加速长度...也就是管道强度,二是聚焦。

在三个模块中,最具备技术力的其实是第三个,也就是分析粒子。

在徐云穿越来的2

023年,分析粒子的技术已经很成熟了。

比如说CMS有两级降频,快速判断事件的价值,过滤无聊的对撞事件,筛选有价值的对撞事件。

这种降频技术也叫Trigger,两级Trigger分别可以把频率降为100kHz和1kHz。

另外还有多丝正比室、漂移室等等,华夏的燕京正负电子对撞机上的谱仪实验就使用了漂移室。

不过在眼下这个时期,技术就比较原始了。

例如众人面前的这架串列式加速器。

它使用了硅半导体作为探测传感器,因为这种材料能够在粒子对撞中大量的辐射中幸存下来,并且能提供高精度的位置测量。

而这种传感器的基本结构就是半导体器件中常见的p-n结,这个结构被发现于1940年3月6日。

这辈子导过的同学应该都知道。

当对p-n结施加外部电压后,p-n结内部会产生一个耗尽层,耗尽层内有电场。

当一个高能带电粒子穿过耗尽层的时候,会将p-n结的晶格原子电离,产生能自由移动的正负电荷。

这些正负电荷在电场的作用下就移动到了p-n结的边缘,因此可以被收集起来产生信号。

硅探测器通常用来探测粒子


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